공정 설계-시뮬레이션을 할 때 흔히 저지르는 실수
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공정 설계-시뮬레이션을 할 때 흔히 저지르는 실수
1. Scrubber나 Separator를 설계할때, 실제 부피를 사용하지 않고 Standard 부피유량을 사용해서 지나치게 오버디자인 하는 경우. 대략 : 실제 부피 =~ Standard 부피 / 압력 (barg)
2. 가스 컴프레서를 다룰때 (특히 왕복식), 토출 압력이 컴프레서 자체로 조절된다고 믿는 경향이 있는데, 이건 완전히 틀린 생각이다. 토출 압력은 다운스트림에 있는 기기에 대한 배압(Back pressure)으로 결정된다. (다운스트림의 기기가 컨트롤 밸브인 경우, 토출 압력은 유량에 따라 변하는데 이때의 유량은 컴프레서 자체로 조절할 수는 있다.)
3. 사람들은 HYSYS를 이용하여 증류탑을 설계할 때, short cut distil. column을 이용해서 단수, 환류비, 피드 단수, 리보일러 온도등을 모두 집어 넣고 실행해서 계산이 수렴되길 기다린다. 이것은 완전히 시간낭비이다.
여기에서 추천하는 방법은 대략 계산으로 구한 단수+2~5 단으로 정하고 피드 단수를 정한다음, bottom에서 light한 주 물질과 top에서 heavy한 주 물질을 집어 넣고 계산하는 것이다. 이렇게 하면 금방 수렴이 된다. 이제부터 최적화하는 것은 물론 당신의 몫이다.
4. 일부 사람들은 스트림에서 H2S 성분을 정하는데 HYSYS을 이용하는데,.. 잘못된 것이다.
HYSYS는 HydroCarbon 및 물에서 H2S의 용해도를 제대로 반영하지 못한다. 주의할 것!
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농도 계산
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▧ 농도계산
1. 백분율 농도
백분율 농도에는 다음과 같은 농도가 있다.
1) v/v %농도 : 용질부피 / 용액부피 * 100 [ℓ/ℓ] → vol % 표시
2) w/w %농도 : 용질무게 / 용액무게 * 100 [g/g] → wt % 표시
* 통상 %농도라 하면 주로 w/w%를 의미한다.
밀도가 1g/ℓ경우 동일한 계산결과가 나옴.
일반적인 물의 밀도 = 1 mg/cm3 = 1 g/mℓ = 1 kg/ℓ
w/w %농도는 무게백분율이라 부르며, v/v %농도는 부피백분율이라고 칭한다.
* 참고
- 무게 (weight) : 물체에 작용하는 중력의 크기, 중량이라고도 한다.
- 질량 (mass) : 물체의 역학적 성질을 결정하는 물체 고유의 기본적인 양
2. ppm 농도 [parts per million]
ppm 농도는 어떠한 용질 1mg이 용액 1,000,000 mg (즉 1 kg)중에 들어있는 농도를 말한다.
(단 비중이 1인 경우)
X ppm 농도의 용액을 만들 경우 용질무게 X mg에다, 용질무게를 포함한 용액전체의 무게가 1 kg
(=1,000,000 mg)이 되도록 용매를 넣어주어야 한다.
미량분석의 정량범위, 검출한계 등을 수적으로 표현하는 단위로 ppm 농도와 %농도간의 환산문제을
자주 실시하며,
%는 백분율이므로 1/100이 1%가 된다. ppm은 백만분율이므로 1/1,000,000의 값이 1 ppm이 된다.
따라서 1 = 100% = 1,000,000 ppm 이며, 1% = 10,000 ppm 이다.
그러므로 % 농도를 ppm 단위로 고치려면 10,000 ppm/%를 곱해주어야 한다.
* ppm 농도 = w/w %농도 * 10,000 [ppm/%]
3. ppb 농도 [parts per billion]
수질오염도나 대기오염도를 나타내는 단위로 ppm 농도와 ppb 농도간의 환산문제을 자주 실시하며,
일반적으로 ppb 농도를 1,000으로 나누면 ppm 단위의 농도가 된다.
단순히 ppb은 1/10^9 을 표현함.
* ppm 농도 = ppb 농도 * [1 ppm/1000ppb]
4. 몰농도 (Molarity : M)
용액 1ℓ에 들어 있는 용질의 몰수를 말하며, M 또는 g-mol/ℓ로 나타낸다.
M = (w / Mw) * (1,000 / V)
☞ w : 용질의 무게(g), Mw : 용질의 분자량(g/g-mol), V : 용액의 부피(mℓ)
M = (10 * w/w %농도 * ρ) / Mw
☞ Mw : 용질의 분자량(g/g-mol), ρ : 용액의 밀도(g/mℓ)
5. 몰랄농도 (Molality : m)
용매 1 kg 중에 용해되어 있는 용질의 몰수(g-mol수), m으로 표시한다.
단위는 [g-mol/kg], 주로 라울의 법칙이나 삼투압 측정 등에 이용된다.
몰랄농도(Molality) = 용질의 g-mol수 / 용매 1 kg
몰랄농도(Molality) = (w / Mw) / (S / 1000)
☞ w : 용질의 무게(g), Mw : 용질의 분자량(g/g-mol), S : 용매의 무게(g)
6. 노르말농도 (Normal : N)
용액 1ℓ속에 녹아 있는 용질의 g-당량수로 나타내며, N으로 표시한다.
노르말농도 (N) = 용질 g-당량수 / 용액의 부피(ℓ)
노르말농도 (N) = (w / E) * (1000 / V)
☞ w : 용질의 무게(g), E : 용질 1g 당량수(g/g-당량), V : 용액의 부피(mℓ)
* g 당량수 = 분자량 / (1분자중의 H+ 또는 OH- 수)
7. 몰분율 (molar fraction)
어떤 성분의 몰수(數)와 전체 성분의 몰수와의 비를 말한다.
1,2,3,...i 성분이 각각 n1, n2, n3,...ni 몰씩 섞여진 혼합물로 구성되어 있다고 하면
혼합물의 총 몰수는
N = n1 + n2 + n3 + ......ni
i 성분의 몰분율은 Xi = ni/N
각 성분의 몰분율을 모두 합하면 1이 된다.
X1 + X2 + X3 + ....Xi = n1/N + n2/N + n3/N+ .....ni/N
= (1/N)( n1 + n2 + n3+ ... + ni) = N/N = 1
으로 계산이 되어진다.
8. 몰백분율
몰분율(分率)을 백분율로 나타낸 값
9. 중량비
용질의 g수를 용매의 g수로 나눈 값
10. 몰비(比)
용질의 몰수를 용매의 몰수로 나눈 값
▧ 농도환산
1. %농도 → 몰농도(M)
공식 ☞ 비중(밀도) * 1000 * [%농도 / 100 %] * [1 / 분자량] = M 농도
2. %농도 → 노르말농도(N)
공식 ☞ 비중(밀도) * 1000 * [%농도 / 100 %] * [1/ 1g 당량의 무게] = N 농도
3. M농도 → N농도
공식 ☞ M 농도 * (H+농도 또는 OH-농도) = N 농도
4. 용해도 → %농도
공식 ☞ %농도 = [용해도 / (100 + 용해도)] * 100 %
▧ 기타 필요공식
1. 몰분율 (mole fraction) : 한 성분의 몰수를 성분전체의 몰수 나눈 값
n1, n2 : 각 성분의 몰수
X1, X2 : 각 성분의 몰분율
X1 = n1 / (n1 + n2), X2 = n2 / (n1 + n2)
X1 + X2 = 1
2. 희석 또는 농축에 대한 계산
M1 * V1 = M2 * V2
* M1, M2 : 혼합전/후의 몰농도
* V1, V2 : 혼합전/후의 용액부피
(M1 * V1) + (M2 * V2) = M3 * (V1 + V2)
* M1, M2 : 혼합전 용액1, 용액2의 몰농도
* M3 : 혼합후 용액3의 몰농도
* V1, V2 : 용액1, 용액2의 용액부피
※ 농도에 대한 참고사항
- M농도, N농도는 온도에 영향을 받으나, %농도, m농도는 온도의 영향을 받지 않는다.
- 산(염기)당량이란? : 1몰의 H+(OH-)을 낼 수 있는 산(염기)의 양
* 산(염기) 1g 당량 = 산(염기) 1몰 / H+수(또는 OH-수)
예) HCl 1몰 : 1g 당량
H2SO4 1몰 : 2g 당량
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전기약어 사전
▶ ABC : Automatic Brightness Control (자동 휘도 조절)
▶ ABCC : Automatic Brightness and Contrast Control (자동 휘도 콘트라스트 조절)
▶ AC : Alternating Current (교류)
▶ ACAS : Airborne Collision Avoidance System (기상 충돌 방지 장치)
▶ ACB : Air-blast Circuit Breaker (공기 차단기), Air Circuit Breaker (기중 차단기)
▶ ACSR : Aluminum Cable Steel Reinforced (강심 알루미늄 연선)
▶ ADC : Analog Digital Converter (아나로그 디지탈 변환기)
▶ ADF : Automatic Direction Finder (자동 방위 측정기)
▶ ADM : Adaptive Delta Modulation (적응 델타 변조)
▶ ADPCM : Adaptive Differential Pulse Code Modulation (적응 차등 펄스 부호 변조방식)
▶ ADS : Automation Distribution System (배전 자동화 시스템)
▶ AF : Audio Frequency (가청 주파수)
▶ AFC : Automation Frequency Control (자동 주파수 제어)
▶ AFT : Automation Fine Tuning (자동 세밀 조정)
▶ AGC : Automation Gain Control (자동 이득 제어)
▶ AI : Artificial Intelligence (인공 지능)
▶ AM : Amplitude Modulation (진폭 변조)
▶ AMP : Ampere (암페어)
▶ ANSI : American National Standard Institute (미국 규격협회)
▶ AP : Apparent Power (피상 전력)
▶ APF : Active Pass Filter (능동 필터)
▶ ARQ : Automatic Request Question (자동 오자 정정 장치)
▶ ARS : Automatic Route Selection (자동 경로 선택)
▶ ARU : Audio Response Unit (음성 응답 장치)
▶ ASIC : Application Specific IC (응용 주문형 집적회로)
▶ ASK : Amplitude Shift Keying (진폭 위상 변조)
▶ ASR : Automatic Send/Receive set(자동 송수신 장치)
▶ ATC : Automatic Train Control, Automatic Traffic Control (자동 열차 제어, 자동 교통 제어)
▶ AVM : Automatic Vehicle Monitoring system (차량 위치 모니터링 시스템)
▶ AVR : Automatic Voltage Regulator (자동 전압 조정기)
B
▶ BA : Bridging Amplifier (분기 증폭기)
▶ BAS : Building Automation System (빌딩 자동화 시스템)
▶ BSO : Bismuth Silicon Oxide (비스무트 규소 산화물)
▶ BTL : Balanced Transformerless (비티엘)
▶ BWO : Backward Wave Oscillator (후진파 발진관)
C
▶ CAD : Computer Aided Design (컴퓨터를 이용한 설계)
▶ CAE : Computer Aided Engineering (컴퓨터를 이용한 엔지니어링)
▶ CAI : Computer Aided Instruction (컴퓨터를 이용한 학습)
▶ CAL : Computer Aided Learning (컴퓨터를 이용한 학습)
▶ CALS : Commerce at Light Speed
▶ CAM : Computer Aided Manufacturing (컴퓨터를 이용한 제조)
▶ CAT : Computer Aided Testing, Computerized Axial Tomography (컴퓨터를 이용한 검사)
▶ CATV : Cable TV, Community Antenna TV (공동시청 TV)
▶ CAV : Constant Angular Velocity (정 각속도)
▶ CB : Citizen Band transceiver (생활 무선)
▶ CCD : Charge Coupled Device (전하 결합 소자)
▶ CCIR : International Radio Consultative Committee (국제 무선통신 자문 위원회)
▶ CCITT : International Telegraph and Telephone Consultative Committee (국제전신전화 자문위원회)
▶ CCNR : Current Controlled Negative Resistance (전류제한 負 저항)
▶ CCTV : Closed Circuit TV (폐쇄회로 TV)
▶ CD-ROM : Compact Disk Read Only Memory
▶ CDK : Communication Deck (회선 감시 장치)
▶ CDMA : Code Division Multiple Access (부호 분할 다중 접속)
▶ CDRX : Critical Damping Resistance External (임계 제동 외부저항)
▶ CDT : Cyclic Digital Transmission (사이클릭 디지털 정보 전송)
▶ CEP : Circular Error Probable (확률 오차원)
▶ CFF : Critical Fusion Frequency (임계 융합 주파수)
▶ CFRP : Carbonfiber Reinforced Plastics (탄소섬유 강화 플라스틱)
▶ CIE : Commission International de I'Eclairage (국제 조명 위원회)
▶ CIM : Computer Integrated Manufacturing (컴퓨터에 의한 통합 생산)
▶ CLV : Constant Linear Velocity (정 선속도 방식)
▶ CML : Current Mode Logic (전류 논리 모드)
▶ CMRR : Common Mode Rejection Ratio (동상 전압 제거비)
▶ CNC : Computer Numerical Control (컴퓨터 수치 제어)
▶ COAX : Coaxial Cable (동축 케이블)
▶ CODEC : COder-DECoder (부호기와 복호기)
▶ COHO : Coherent Oscillator (코히어런트 발진기)
▶ CRT : Cathode Ray Tube (음극선관)
▶ CSD : Constant Speed Drive unit (정속 구동장치)
▶ CSWR : Current Standing Wave Ratio (전류 정재파 비)
▶ CT : Current Transformer (계기용 변류기)
▶ CTD : Charge Transfer Logic (전하 전송 소자)
▶ CTL : Complementary Transistor Logic (상보 트랜지스터 논리)
▶ CTR : Critical Temperature Resistor (임계 온도 저항기)
▶ CVCF : Constant Voltage Constant Frequency (정전압 정주파 전원)
▶ CVD : Chemical Vapor Deposition method (화학 기상 성장법)
D
▶ DAC : Digital Analog Converter (디지털 아나로그 변환기)
▶ DAS : Distribution Automation System (배전자동화 시스템)
▶ dB : Decibel
▶ DC : Direct Current (직류)
▶ DCS : Distributed Control System (분산 제어 시스템)
▶ DDC : Direct Digital Control (직접 디지털 제어)
▶ DF : Dumping Factor (제동 계수)
▶ DG : Differential Gain (미분 이득)
▶ DG/DF : Differential Gain/Differential Phase (미분 이득/미분 위상)
▶ DH : Double Heterostructure (더블 헤테로 접합)
▶ DIN : Deutsches Institut fur Normung (독일 국가 규격)
▶ DNC : Direct Numerical Control (직접 수치 제어)
▶ DP : Differential Phase (미분 위상)
▶ DPCM : Differential Pulse Code Modulation (差分 펄스 부호 변조방식)
▶ DPSK : Differential Phase Shift Keying (差分 위상 시프트 키잉)
▶ DSM :Demand Side Management
▶ DSP : Digital Signal Processor (디지털 신호처리 장치)
▶ DVM : Digital Voltmeter (디지털 전압계)
▶ DYNAMO : Dynamic Model (다이나모, 연속 시스템 시뮬레이터의 하나)
E
▶ EBM : Electron Beam Machining (전자 빔 가공)
▶ EC : Electronic Commerce (전자 상거래)
▶ ECCS : Electronic Concentrated Engine Control System (전자 집중 엔진제어 시스템)
▶ ECG : Electrocardiogram (심전도)
▶ ECTL : Emitter Coupled Transistor Logic (이미터 트랜지스터 논리회로)
▶ EDM : Electrical Discharging Machining (방전 가공)
▶ EDR : Equivalent Direct Radiation (相當 방열 면적)
▶ EGE system : Engine 1, 2대를 구동하여 교류출력 발생 (무정전 전원장치의 한 방식)
▶ EG-MG system : Engine-Magnet(무정전 전원장치의 한 방식)
▶ EIA : Electronic Industrial Association (미국 전자 공업회)
▶ EIRP : Effective Isotropically Radiated Power(실효 등방 방사 전력)
▶ EL : Electroluminescence (전자 발광)
▶ EMC : Electromagnetic Compatibility (전자적 접합성)
▶ EMF : Electromotive Force (기전력)
▶ EMG system : EMG 방식 (Three Engine system)
▶ EMI : Electromagnetic Interference (전자기 방해)
▶ EMS : Energy Management System (중앙 급전 시스템)
▶ EPIRB : Emergency Position Indicating Radio Beacon (비상용 위치표시 무선장치)
▶ ERP : Effective Radiation Power (실효 방사 전력)
▶ ESP : Electron Spin Resonance (전자 스핀 공명)
▶ EWS : Engineering Workstation
F
▶ FA : Factory Automation (공장 자동화)
▶ FCI : Flux Changes per Inch (매 인치 당 자속 반전수)
▶ FD : Floppy Disk
▶ FDM : Frequency Division Multiplex communication (주파수 분할 다중 통신)
▶ FDMA : Frequency Division Multiplex Access (주파수 분할 다원 접속)
▶ FEC : Forward Error Correction (순방향 오류 정정법)
▶ FCC : Federal Communication Commission (미국 연방 통신 위원회)
▶ FET : Field Effect Transistor (전계 효과 트랜지스터)
▶ FG : Frame Ground (프레임 접지)
▶ FGA : Floating Gate Amplifier (부동 게이트 증폭기)
▶ FM : Frequency Modulation (주파수 변조)
▶ FMEA : Failure Mode Effect Analysis (고장 모드 효과 해석)
▶ FMS : Flexible Manufacturing System (다품종 소량 생산 시스템)
▶ FOT : Frequency of Optimum Traffic (최적 사용 주파수)
▶ FRP : Fiber glass Reinforced Plastics (유리섬유 강화 플라스틱)
▶ FSK : Frequency Shift Keying (주파수 편이 방식)
▶ FSS : Flying Spot Scanner (飛點 주사 장치)
▶ FTC : Fast Time-constant Circuit (소 시상수 회로)
▶ FTTH : Fiber to the Home
G
▶ Ga-As : Gallium Arsenide (갈륨 비소)
▶ GCA : Ground Control Approach (지상 관제 진입 장치)
▶ GCB : Gas Circuit Breaker (가스 차단기)
▶ GCR : Group Coded Recording (군 부호 기록)
▶ GCS : Gate Controlled Switch (게이트 제어 스위치)
▶ GGG : Godolinium Gallium Garnet (가돌리늄 갈륨 가닛, 갈륨의 일종)
▶ GIS : Gas Insulated Switchgear (가스 차단기)
▶ GND : Ground (갈륨 비소 부성 저항 다이오드)
▶ GPI : Ground Position Indicator (대지 위치 표시기)
▶ GPIB : General Purpose Interface Bus (범용 인터페이스 버스)
▶ GPS : Global Positioning System (범용 지구 측위 시스템)
▶ GPSS : General Purpose System Simulator (범용 시스템 시뮬레이터)
▶ GPTE : General Purpose Test Equipment (범용 시험 장치)
▶ GPWS : Ground Proximity Warning System (지상 접근 경보 장치)
▶ GSR : Grounding Short Circuit Relay (이상 지락 검출 계전기)
▶ G/T : Gain over Temperature (이득 초과 온도)
▶ GTO : Gate Turn Off thyristor (게이트 턴오프 사이리스터)
H
▶ HA : Home Automation (가정 자동화)
▶ HBT : Hetero Bipolar Transistor (헤테로바이폴라 트랜지스터)
▶ HDD : Hard Disk Drive
▶ HEMT : High Electron Mobility Transformer
▶ HF : High Frequency (고주파)
▶ HIC : Hybrid IC (혼성 집적 회로)
▶ Hi-Fi : High-Fidelity (고충실도)
▶ HMI : Human Machine Interface
▶ HTL : High Level Transistor (고수준 트랜지스터 논리)
▶ HUD : Headup Display
▶ Hz : Hertz
I
▶ IA : Isolation Amplifier (아이솔레이션 증폭기)
▶ IAEA : International Atomic Energy Association (국제원자력 기관)
▶ IAGC : Instantaneous Automatic Gain (순시 자동 이득 조절)
▶ IARU : International Amateur Radio Union (국제 아마츄어 무선협회)
▶ IBS : INTELSAT Business Service, Intelligent Building System
▶ ICT : Insulating Core Transformer (절연 철심 변압기)
▶ IDF : Intermediate Distributing Frame (중간 배선판)
▶ IE : Industrial Engineering (산업공학)
▶ IEC : International Electrotechnical Commission (국제 전기 표준 회의)
▶ IEEE : Institute of Electrical and Electronic Engineers (전기 전자 학회)
▶ IF : Intermediate Frequency (중간 주파수)
▶ IFRB : International Frequency Registration Board (국제 주파수 등록 위원회)
▶ IFT : Intermediate Frequency Transformer (중간 주파 트랜스)
▶ IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor (고전력 스위칭용 반도체)
▶ IGFET : Insulated Gate FET (절연 게이트 FET)
▶ ILD : Injection laser Diode (주입형 레이저 다이오드)
▶ IM : Induction Motor (유도 전동기), Integration Motor (적분 모터)
▶ INMARSAT : International Marine Satellite Consortium (국제 海事 위성 기구)
▶ INS : Inertial Navigation System (관성 항법 장치)
▶ IOCS : Input Output Control System (입출력 제어 시스템)
▶ IP : Integer Programming (정수 계획법), Information Provider (정보 제공자)
▶ IPL : Initial Program Loader (초기 프로그램 적재기)
▶ IR : Infrared (적외선)
▶ IRS : Inertial Reference System (관성 기준 장치)
▶ ISDN : Integrated Services Digital Broadcasting (종합 정보 통신망)
▶ ISO : International Organization for Standardization (국제 표준화 기구)
▶ ISU : International System of Units (국제 단위계)
▶ ITCG : International Telecommunication Convention Geneva (국제 전기 통신 조약)
▶ ITDM : Intelligent Time Division Multiplexing (지능 시분할 다중화)
▶ ITU : International Telecommunication Union (국제 전기 통신 연합)
▶ I²L : Integrated Injection Logic (직접 주입 논리 회로)
J
▶ JFET : Junction FET (접합형 FET)
▶ JIS : Japanese Industrial Standards (일본 공업 규격)
K
▶ KDP : Kalium Dihydrogen Phosphate (인산 2수소 칼륨)
▶ KODAS : Korea Distribution Automation System (한국형 배전자동화 시스템)
▶ KS : Korean Standards (한국 공업 규격)
▶ KSR : Keyboard Send/Receive set (건반 송수신 장치)
▶ KTN : Kalium Tantalum Niobate (칼륨 탄탈륨 니오브)
▶ kVA : Kilovolt Ampere
▶ kW : Kilowatt
▶ kWh : Kilowatt Hour
L
▶ LA : Laboratory Automation (실험실 자동화)
▶ LAN : Local Area Network (근거리 통신망)
▶ LANER : Light Activated Negative Emitter Resistance (래너, GND의 일종, 가시광선을 발광하는것)
▶ LAS : Light Activated Switch (광 스위치)
▶ LASCR : Light Activated Silicon Controlled Rectifier (광 SCR)
▶ LCD : Liquid Crystal Display (액정 표시 장치)
▶ LCU : Line Control Unit (회선 제어 유닛)
▶ LD : Laser Diode, Laser Disk
▶ LDV : Laser Doppler Velocimeter (레이저 도플러 속도계)
▶ LED : Light Emitting Diode (발광 다이오드)
▶ LF : Low Frequency (저주파)
▶ LID : Leadless Inverted Device (직결 반전 디바이스)
▶ LNA : Low Noise Amplifier (저잡음 증폭기)
▶ LSI : Large Scale Integration (대규모 집적 회로)
▶ LSTTL : Low power Shottky Transistor Transistor Logic
▶ LUF : Lowest Usable Frequency (최저 사용 주파수)
M
▶ MADT : Micro Alloy Diffused Transistor (마이크로 앨로이 확산형 트랜지스터), Mean Actual Down Town (평균 정지 시간)
▶ MAN : Medium Area Network (중규모 지역 통신망)
▶ MAP : Manufacturing Automation Protocol (제조 자동화 프로토콜)
▶ MBB Contact: Make Before Break Contact (MBB 접점)
▶ MBE : Molecular Beam Epitaxy (분자선 에피탁시)
▶ MCCB : Metal Clad Circuit Breaker
▶ MCSG : Metal Clad Switch-Gear
▶ MBM : Magnetic Bubble Memory (자기 버블 기억장치)
▶ MDF : Main Distribution Frame (주배선반)
▶ MDI : Magnetic Direction Indicator (자기 방향 지시기)
▶ MDS : Microcomputer Development System (마이크로 컴퓨터 개발 시스템)
▶ ME : Medical Electronics (의용 전자공학), Micro Electronics, Molecular Electronics
▶ MES-FET : Metal Semiconductor Field-Effect Transistor (금속반도체 효과 트랜지스터)
▶ MF : Medium Frequency wave (중파)
▶ MHD Generation : Magneto Hydrodynamics Generation (전자 유체 역학 발전)
▶ MICR : Magnetic Ink Character Reader (자기 잉크 문자 판독장치)
▶ MIS : Management Information System (경영 정보 시스템)
▶ MISIC : Metal Insulated Semiconductor IC (미스 IC, 금속 절연 반도체 집적 회로)
▶ MKS units : Meter Kilogram Second (MKS 단위계)
▶ MKSA : Meter Kilometer Second Ampere (MKS 단위계에 전류의 단위 암페어를 더한 전자기 단위)
▶ MMIC : Monolithic Microwave IC (모노리식 마이크로파 집적회로)
▶ MNOS : Metal Nitride Oxide Semiconductor (금속 질화 산화막 반도체)
▶ MOCVD : Organometallic Compound CVD (유기 금속 CVD법)
▶ MOS : Metal Oxide Semiconductor (금속 산화막 반도체)
▶ MOS FET : 금속 산화막 반도체 전계효과
▶ MPU : Microprocessor Unit
▶ MTBF : Mean Time Between Failure (평균 고장 간격 시간)
▶ MTE : Mean Time between Error (평균 오류시간)
▶ MTTF : Mean Time To Failure (평균 고장 시간)
▶ MTTR: Mean Time To Repair (평균 수리 시간)
▶ MUF : Maximum Usable Frequency (최고 사용 주파수)
▶ MUT : Mean Up Time (평균 동작 시간)
▶ MUX : Multiplex (다중화)
N
▶ n : Nano
▶ NTSC System: National Television System Committee System (NTSC TV 방송방식)
▶ NC : Numerical Control (수치 제어)
▶ NCU : Network Control Unit (망 제어 장치)
▶ NdPP : Neodymium Pentaphosphate (5인화 네노디움, 고능률 고체 레이저에 사용)
▶ NFB : No Fuse Breaker (배선용 차단기)
▶ NIS : National Information System (국가 정보 시스템)
▶ NMR : Nuclear Magnetic Resonance (핵 자기 공명)
▶ NRZ : Non Return to Zero (비 복귀기록)
▶ NRZI : Non Return to Zero Inverted (비 제로 복귀 반전)
O
▶ OA : Office Automation (사무 자동화)
▶ OBD : Optical Bistable Device (광2안정 소자)
▶ OCB : Oil Circuit Breaker (유입 차단기)
▶ OCR : Optical Character Recognition (광학식 문자인식)
▶ OCS : Operation Control System
▶ OEIC : Optoelectronics Integrated Circuit (광전자 집적 회로)
▶ OEM : Original Equipment Manufacturing (주문자 상표 부착 생산자)
▶ OF Cable : Oil Filled Cable
▶ OFT : Optical Fiber Tube (광 섬유관)
▶ OLTC : On Load Tap Changer (부하시 탭 전환장치, 변압기에 사용)
▶ OLTS : On Line Test System
▶ OLVR : On Load Voltage Regulator (부하시 전압조정기)
▶ OMR : Optical Mark Reader (광학식 마크 판독장치)
▶ OMS : Ovonic Memory Switch
▶ OPC : Organic Photoconductive Cell (유기 광도전체)
▶ OPT : Out Put Transformer (출력 변성기)
▶ OR : Operating Register (발진 레지스터)
▶ OT : Output Trunk (출력 트렁크)
▶ OTF : Optical Transfer Function (광학적 전달함수)
▶ OTL : Output Transformerless (무변성 출력)
▶ OCGR : Over Current Ground Relay (과전류 접지 계전기)
▶ OCR : Over Current Relay (과전류 계전기)
▶ OL : Over Load (과부하)
▶ OLR : Over Load Relay (과부하 계전기)
▶ OVR : Over Voltage Relay (과전압 계전기)
▶ OWF : Optimum Working Frequency (최적 주파수 사용)
P
▶ PABX : Private Automatic Exchanger (구내 자동 교환기)
▶ PAL system : Phase Alternating by Line system (PAL TV 방송방식)
▶ PAM : Pulse Amplitude Modulation (펄스 진폭 변조)
▶ PCB : Printed Circuit Board (프린트 배선 회로용 기판)
▶ PCM : Pulse Code Modulation (펄스 부호 변조)
▶ PCS : Punch Card System (천공 카드 시스템)
▶ PDM : Pulse Duration Modulation (펄스 지속 변조)
▶ PDP : Plasma Display Panel
▶ PE : Power Electronics
▶ PF : Power Factor (역률)
▶ pF : pico Farad (용량 단위)
▶ PFM : Pulse Frequency Modulation (펄스 주파수 변조)
▶ PHS : Personal Handyphone System
▶ PIV : Peak Inverse Voltage (피크 역전압)
▶ PLC : Programmable Logic Controller
▶ PM : Phase Modulation (위상 변조)
▶ PNM : Pulse Number Modulation (펄스수 변조)
▶ PT : Potential Transformer (계기용 변압기)
▶ PPM : Pulse Phase Modulation (펄스 위상 변조)
▶ PR : Protective Ratio (보호비)
▶ PSK : Phase Shift Keying (위상 偏移 방식)
▶ PTM : Pulse Time Modulation (펄스 시간 변조)
▶ PWM : Pulse Width Modulation (펄스 폭 변조)
Q
▶ QAM : Quadrature Amplitude Modulation (직교 진폭 변조)
▶ QED : Quantum Electro Dynamics (양자 전자기학)
R
▶ RAM : Read Access Memory
▶ RCTL : Resistor Condenser Transistor Logic (저항 콘덴서 트랜지스터 논리회로)
▶ RDF : Radio Direction Finder (무선 방위 측정기)
▶ RF : Radio Frequency (무선 주파수)
▶ RIF : Radio Influence Field (무선 유도계)
▶ RMI : Radio Magnetic Indicator (무선 자기 방위 지시장치)
▶ RMS value : Root Mean Square value (실효값)
▶ ROM : Read Only Memory
▶ RTCF : Real Time Control Facility (실시간 처리기능)
▶ RTL : Resistor Transistor Logic (저항 트랜지스터 논리회로)
▶ RTS : Request To Send (송신 요구)
S
▶ SAMOS : Stacked Avalanche Injection MOS (사모스)
▶ SAW : Surface Acoustic Wave (찬성 표면파)
▶ SCADA : Supervisory Control & Data Acquisition (지역 급전 시스템)
▶ SCL transistor : Space Charge Limited transistor
▶ SCR : Silicon Controlled Rectifier (실리콘 제어 정류기)
▶ SCS : Silicon Controlled Switch (실리콘 제어 스위치)
▶ SEC : Secondary Electron Conduction (2차 전자 도전작용)
▶ SI : System Integration
▶ SiC : Silicon Carbide (탄화 규소)
▶ SIP : Single In-line Package
▶ SIT : Silicon Intensifier Target tube (SIT 관), Static Induction Transistor (정전유도형 트랜지스터)
▶ SOI : Semiconductor On Insulator (절연 기판상의 반도체)
▶ SPST : Single Pole Single Throw (단극 단투 개폐기)
▶ SQUID : Super Conducting Quantum Interference Device (스퀴드)
▶ S/S : Substation (변전소)
▶ SS cable : Self Supporting cable (자기지지형 가공 케이블)
▶ SSG : Standard Signal Generator (표준신호 발생기)
▶ SSPG : Spread Solar Power Generator (위성 태양 발전)
▶ STC : Sensitivity Time Control (감도의 시간 조정)
T
▶ TBC : Time Base Correction (시간축 교정장치)
▶ TC : Transmission Control (전송제어)
▶ TCM : Time Compression Multiplexing (시분할 방향 제어 전송방식)
▶ TCU : Transmission Control Unit (전송제어장치)
▶ TD : Transmitter Distributor (자동 송신기)
▶ TDM : Time Division Multiplex (시분할 다중방식)
▶ TDMA : Time Division Multiple Access (시분할 다원 접속)
▶ TED : Transfer Electron Device
▶ TFT : Thin Film Transistor (박막 트랜지스터)
▶ TG : Turbine Generator (터빈 발전기)
▶ TGC : Triglycine Sulfate (황산 트리글리신)
▶ TGS : Triglysine Sulphate (황산 트리글리신)
▶ TSC : Thermally Stimulated Current (열자극 전류)
▶ TSI : Threshold Signal to Interface ratio (임계신호 대 방해 신호비), Time Slot Interchange (타임 슬롯 교환)
▶ TSL : Three State Logic
▶ TSS : Time Sharing System (시분할 방식)
▶ TTL : Transistor Transistor Logic
▶ TWT : Travelling Wave Tube (진행파관)
U
▶ UHF : Ultra High Frequency (극초단파)
▶ UJT : Uni-Junction Transistor (단접합 트랜지스터)
▶ UPS : Uninterruptible Power Supply (무정전 전원장치)
V
▶ VAC : Volts Alternating Current (교류전압)
▶ VCB : Vacuum Circuit Breaker (진공 차단기)
▶ VEF : Vacuum Electric Furnace (진공 전기로)
▶ VI : Vacuum Interrupter (진공 인터럽터)
▶ VPI : Vacuum Pressure Impregnation (진공함침)
▶ VAN : Value Added Network (부가가치 통신망)
▶ VVVF : Variable Voltage Variable Frequency (가변 전압 가변 주파수)
▶ VCM : Voice Coil Motor
▶ VCO : Voltage Controlled Oscillator (전압제어 발진기)
▶ VDT : Visual Display Terminal (영상 표시 단말장치)
▶ VF Converter : Voltage Frequency Converter (전압 주파수 변환기)
▶ VFD : Visual Fluorescent Display (가시형광 표시장치)
▶ VFO : Variable Frequency Oscillator (가변 주파수 발진기)
▶ VHF : Very High Frequency (초단파)
▶ VRS : Video Response System (화상 응답 시스템)
▶ VSB : Vestigial Side Band (잔류 측파대)
▶ VSWR : Voltage Standing Wave Ratio (전압 정재파비)
▶ VTVM : Vacuum Tube Volt Meter (진공관 전압계)
▶ VU : Volume Unit (음량 단위)
W
▶ WAN : Wide Added Network (광역 통신망)
▶ WDM : Wavelength Division Multiplexing (파장 다중 분할)
X
▶ XMT : Transmit (송신)
▶ XUV : Extreme Ultraviolet radiation (극자외선)
Y
▶ YAG : Yttrium Aluminum Garnet (이트륨 알루미늄 가닛)
▶ YIG : Yttrium Iron Garnet (이트륨 철 가닛)
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각 밸브별 특성과 장단점
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VALVE 특성과 장단점
1. Gate Valve (Stop Valve)
유체저항이
적어 압력손실이 적다. Globe Valve에 비하여 면간 거리가 짧고 중량이 작고 대구경에도 사용할 수가 있따. 그러나 Valve Lift가
길어 높은 공간을 차지한다. Gate
Valve의 특징은 완전히 열렸을 때는 전혀 유체저항이 없어 압력손실이 거의 없다. 그러나 유속이 빠른 유체일 때 조금 연 상태에서는 dsc의
진동과 소음현상이 일어나 seat가 마모(erosion)된다. 따라서 일반적인 Gate Valve는 유량조절(throttling)용으로는 사용할
수 없다. 결론적으로,
일반적인 Gate
Valve는 유량조절을 하지 않고 빈번하게
사용하지 않는 곳의 완전개폐용으로 적당하다.
2. Globe Valve
유량을 조절하는 대표적인 밸브로서 seat나 disc의 손상을 최소화하고 유량을 미세하게 조절할 수 잇따. Plug와 guide가 언제나 접촉하여 고압에도 사용할 수 잇고 disc의 움직이는 범위가 짧아 작동시간이 Gate Valve에 비하여 짧다. Disc와 seat는 언제나 valve를 pipline에서 떼어내지 않고 수리할 수 있어 편리하다.
Valve seat가 유체의 흐르는 방향과 평행으로 되어있고, 유체의 흐르는 길(path)이 S자형으로 되어있어 유체의 방향을 변경시켜 유체의 압력손실이 크고 와류현상(turbulent)이 일어난다. 따라서 압력손실이 문제가 되는 저압의 유체에는 적당하지 않다. 또 같은 구경일 때 Gate Valve에 비하여 무겁고 가격이 비싸다.
결론적으로, Globe Valve는 유량조절용으로 valve를 빈번히 사용하고 압력손실의 문제가 없는 곳에 사용하면 좋다.
3. Angle Valve
유체가 90°각도로 꺽이고 Globe Valve가 필요할 때 관이음쇄(fitting)를 절약하고 Globe Valve 역할을 할 수 있는 구조이다.
Disc는 Globe Valve와 같은 형태로 할 수 있으며, Globe Valve에 비하여 와류현상과 압력손실이 적다. 따라서 유체의 압력차가 큰 곳에서 사용한다.
4. Ball Valve
Plug가 구(球/Ball)형으로 되어 있으며 가운데에 유체가 통과할 수 있도록 구멍이 있다. 특성은 90°만 회전시켜도 valve의 개폐가 가능하며 Globe Valve에 비하여 중량이 작다. 크기가 작아 좁은 공간에서도 사용할 수 있으며, 또 조절범위(Rangeability)가 다른 valve에 비하여 대단히 크다.
Ball Valve가 점점 Control Valve로 사용되는 추세에 있다. 지금까지 문제는 seat의 재질때문에 고온/고압에 사용이 제한되어 왔으며, ball과 stem이 분리되어 구동부와의 동력전달이 미세한 부분에서는 잘 조절되지 않는 부분(dead band)이 있었으나, seat 재질을 향상시켜 metal seat가 개발되고, ball도 stem과 같이 붙어있는 One Piece Ball (Stem Ball)이 나와 Globe Valve보다 가격이 저렵하고 조절범위(Rangeability)가 넓은 등 유리한 점이 많아 Control Valve로 사용이 증가하고 있는 추세에 있다.
단지 ball은 회전각도에 따라서 심하게 유량이 변하여 미세한 유량과 압력제어에는 적당하지 않다. 또 valve회복계수(valve를 통과하는 유체압력의 손실계수)가 낮아 Auto Control Valve로 사용시 와류현상이 일어나고 소음이 심하게 발생한다.
Ball의 구경에 따라 Standard, Full Bore, Reduced Bore Ball이 있다.
5. Butterfly Valve
회전운동식(Rotary Motion) Valve의 대표적인 형식이다. 중량이 가볍고 크기가 작아 취급하기가 좋다. 유량 특성이 좋고 유체 저항이 작아서 대구경 valve의 유체 제어에 적당하다.
Seat를 고무, teflon 등 연질 Elastomer를 사용하면 완전 누출을 막을 수가 있으나 고온에는 견디지 못하여 저온에 사용한다.
그러나 Metal Seat가 개발되어 고온에도 사용되나 이것도 고압에는 적당하지가 않다. 또 구조의 특성으로 인하여 50 inch 이하의 작은 크기의 valve는 제조가 곤란하다. On-off나 유량조절(throttle)에 사용할 수 있으며 on-off일 때는 90회전변을, throttle일 때는 60회전변을 사용하는데 60° 이상 되면 유체의 증가가 기하급수적으로 변하고 많은 힘이 필요하며 70° 이상에서 유량조절에는 적당하지 않다.
이 valve의 장점은 대구경일 때 다른 valve에 비하여 가격이 저렴하고 설치하기 좋고 유량조절이 가능한 것이다.
6. Plug Valve
가장 오래된 형태의 valve 형태이다. Plug가 원추형이다. 보수가 간단하고 가격이 다른 것에 비하여 싸다. 그러나 plug와 seat의 마찰이 크고 seat를 구조상 잘 설치할 수가 없어 고압에는 적당하지 않다.
Gate valve와 같이 개폐용으로 사용할 수 있다. 좁은 장소에 설치할 수 있고, 조작이 90도만 돌리면 개폐가 되어 간단하다.
Plug의 구멍이 body와 같은 full bore와 body의 70%, 40%인 reduced port가 있다.
7. Diaphragm Valve
유체가 점액상태이거나 유체속에 고형물질 또는 덩어리 등이 들어있는 유체를 제어하는데 적당하다.
이 valve의 형태는 유체를 차단하기 위하여 유동적인 판막(flexible diaphragm)이 상하로 움직여 작동하는 valve이다. 점액부는 고무, glass, plastic, teflon 등으로 Lining할 수 있다.
8. Check Valve
유체의 역류현상을 막는 일종의 안전 valve로서 유체의 압력과 disc의 무게에 의하여 작동한다. 때에 따라서는 유압 또는 다른 구동부를 사용 유체 특성에 맞게 사용한다
출처 :
http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=yangseungjae&logNo=90129247566&parentCategoryNo=&categoryNo=&viewDate=&isShowPopularPosts=false&from=postView
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플랜지 레이팅 계산기 - Flange Rating Calculator (NPS 0.5 to 60)
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플랜지 레이팅 계산기 - Flange Rating Calculator (NPS 0.5 to 60)
이 엑셀 시트는 플랜지의 레이팅을 ASME 16.5 -2009 기준으로 계산하여 보여준다.
적용되는 재질은 아래와 같으며 구경 NPS 0.5 ~ 24, 26 ~ 60 으로 두개 파일로 구성되어 있다.
- 1.1 _Normal Carbon Steel_A 105, A 350 Gr. LF2, LF6 CI. 1, A 350 Gr. LF3, A 216 Gr. WCB
- 1.2 _High Carbon Steel_A 350 Gr. LF6 Cl. 2, A 216 Gr. WCC, A 352 Gr. LCC, LC2, LC3
- 1.3 _High Carbon Steel_A 352 Gr. LCB, A 217 Gr. WC,1 A 352 Gr. LC1
- 1.4 _Low Carbon Steel_A 350 Gr. LF1 Cl. 1
- 1.5 _Alloy Steel_A 182 Gr. F1
- 1.7 _Alloy Steel_A 182 Gr. F2, A 217 Gr. WC4, WC5
- 1.9 _Alloy Steel_A 182 Gr. F11 CL.2, A 217 Gr. WC6
- 1.10 _Alloy Steel_A 182 Gr. F22 Cl. 3, A 217 Gr. WC9
- 1.11 _Alloy Steel_C-V2M0
- 1.13 _Alloy Steel_A 182 Gr. F5a, A 217 Gr. C5
- 1.14 _Alloy Steel_A 182 Gr. F9, A 217 Gr. C12
- 1.15 _Alloy Steel_A 182 Gr. F91, A 217 Gr. C12A
- 1.17 _Alloy Steel_A 182 Gr. F12 Cl. 2, F5
- 1.18 _Alloy Steel_A 182 Gr. F92
- 2.1 _Austenitic Steel_A 182 Gr. F304, F304H, A 351 Gr. CF3, CF8
- 2.2 _Austenitic Steel_A 182 Gr. F316, F316H, F317, A 351 Gr. CF3M,CF8M, CG8M
- 2.3 _Austenitic Steel_A 182 Gr. F304L, F316L, F317L
- 2.4 _Austenitic Steel_A 182 Gr. F321,F321H
- 2.5 _Austenitic Steel_A 182 Gr. F347, F347H, F348, F348H
- 2.6 _Austenitic Steel_A 240 Gr. 309H
- 2.7 _Austenitic Steel_A 182 Gr. F310, A 240 Gr. 310H
- 2.8 _Ferritic/Austenitic Steel_A 182 Gr.F44,F51,F53,F55, A 351 Gr.CK3MCuN,CE8MN,CD4MCu,CD3MWCuN
- 2.9 _Ferritic/Austenitic Steel_A 240 Gr. 309S,310S
- 2.10 _Ferritic/Austenitic Steel_A 351 Gr. CH8 , CH20
- 2.11 _Ferritic/Austenitic Steel_A 351 Gr. CF8C
- 2.12 _Ferritic/Austenitic Steel_A 351 Gr. CK20
엑셀시트의 스크린 샷은 아래와 같다.
해당 시트는 아래에서 다운로드 받으시면 됩니다. 구경별로 두개 시트로 되어 있다.
Flange Rating_(NPS 0.5~24)_V3.0.xls
Flange Rating_Large Diameter_(NPS 26~60)_V1.0.xls
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개스킷은 얇은 판상(板狀)의 패킹재(材)ㆍ플랜지관(flange pipe), 실린더 블록(cylinder block)이나 실린더 헤드(cylinder head) 등의 접합면에 수밀성과 기밀성을 유지하기 위해 끼워넣어 이용하는 것으로 이용 목적에 따라 아래와 같이 재질을 선택할 수 있다. 해당 코드는 ASME Standard B16.20이다.
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플러그 이음 ( Bell and Spigot Joint )
내경을 상대 관 끝의 외경에 맞춰서 연결하는 파이프 이음을 말한다. 동관과 경질 염화비닐관 등에 이용된다. 전자는 납땜으로, 후자는 접착제 또는 가열에 의해 접합된다. 일반적인 관이음과 같이 여러 가지 모양이 있다.
하수처리에는 플러그 이음이 많이 이용되며, 아래는 표준 치수이다.
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FEED (Front End Engineering Design)
Conceptual Design 이후의 단계로 Licensor의 Concept 를 따라 아래와 같은 document를 작성하게 되는 단계이다.
- Mass & Heat Balance Calculation
- PFD
- P&ID (70~75% 정확도)
- 전기의 Load list
- 주요 기기 및 사이즈 (주요기기의 경우 100% 정확도)
- 계장의 Instrument list (80~90% 정확도)
좀더 세분화 해서 살펴 보면,
- 엔지니어링 적인 측면;
1. 대략적인 Load list - Motor, Tranformer, Drive, High voltage Switchgear, UPS, Diesgel Generaator 조건
2. 공정에 필요한 유틸리티 - Air, Nitrogen, FF, Hot oil heating system, Air dryer등
3. 주요 계기 - PLC / SCADA /DCS
4. Instrument list
- 사업관리 적인 측면
1. 프로젝트의 총 비용 (+/- 20% 정도의 정확도를 가진 예측값)
2. 플랜트에 필요한 총 맨파워
3. 필요한 재료(Raw material)의 종류와 양
4. 프로젝트 완공까지 필요한 대략의 시간
- Philosophy 적인 측면
1. 플랜트 운영 Philosophy / design basis
2. Instrumentation Engineering philosophy
3. Control System Philosophy
4. Safety shutdown system philosophy
이 외에 각 기기나 계장의 data sheet등은 EPC업체의 Detail engineering 단계에서 develop된다.
아직 국내에서는 아직 FEED를 수행할 수 있는 이렇다할 업체는 없는 상황이다.
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파이프 재질 별 특징
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재질 | 장점 | 단점 |
Carbon Steel | 저렴, 제작이 용이, 흔하고 가장 널리 쓰이는 재질. 염기성 환경에 저항성 | 산성 및 강염기에 매우 약함. 다른재질에 비해 잘 부러짐, 특히 저온에서는 취약함. |
| Stainless Steel 스테인리스스틸 | 상대적으로 저렴, 제작이 용이. 카본스틸보다는 더욱 광범위한 환경에 저항을 가지며 다양한 종류가 있음. | 염소에 저항성이 없으며, 온도가 높아짐에 따라 저항력이 크게 떨어진다. |
| 254 SMO (Avesta) | 가격은 중간. 제작은 용이한 편. 스테인리스스틸과 비교해서 좀더 광범위한 온도와 농도 조건에서 저항력이 좋음. | 염소에 저항력이 거의 없으나 고온에서의 저항력은 개선이 가능하다. |
Titanium | 염소에 대한 저항력이 매우 좋음.(해수용으로 광범위 하게 이용됨). 비교적 얇은 두께에서 가공이 가능 | 재질이 크게 비싸지는 않으나 가공이 어려움. 많은 비용이 용접에서 발생. |
Pd stabilized Titanium | 염소에 대한 저항이 고온에서도 우수함. 티타늄의 저항력으로도 부족한 경우에 해수용으로 종종 사용됨. | 매우 비싼 재질인 동시에 가공도 어려우며 비용이 많이 든다. |
| Nickel 니켈 | 고온의 부식성 유체에 우수한 저항력을 가진다. | 비용이 보통과 비쌈 사이이다. 용접이 어렵다. |
Hastelloy Alloy | 선택할 수 있는 폭이 굉장히 넓다. 다른 재질로는 불가능한 산성 물질도 커버할 수 있도록 특별히 제작되기도 한다. | 꽤 비싼 합급으로 꼭 필요한 곳에만 쓰는 것이 좋다. 대부분 용접은 쉬운 편이다. |
Graphite | 약한 염화수소 유체를 견뎌내는 몇 안되는 재질이다. | 깨지기 쉽고, 매우 비싸며, 가공도 어렵다. 특정타입의 흑연재질에서는 일부 물질이 확산되는 것으로 알려져있다. |
Tantalum | 다른 물질로는 견디기 어려운 매우 극한의 물질을 다룰 수 있다. | 초 고가이며, 절대적으로 필요한 곳에만 사용해야한다. |
-불펌금지-
<원문>
| Material | Advantage | Disadvantage |
| Carbon Steel | Low cost, easy to fabricate, abundant, most common material. Resists most alkaline environments well. | Very poor resistance to acids and stronger alkaline streams. More brittle than other materials, especially at low temperatures. |
| Stainless Steel | Relatively low cost, still easy to fabricate. Resist a wider variety of environments than carbon steel. Available is many different types. | No resistance to chlorides, and resistance decreases significantly at higher temperatures. |
| 254 SMO (Avesta) | Moderate cost, still easy to fabricate. Resistance is better over a wider range of concentrations and temperatures compared to stainless steel. | Little resistance to chlorides, and resistance at higher temperatures could be improved. |
| Titanium | Very good resistance to chlorides (widely used in seawater applications). Strength allows it to be fabricated at smaller thicknesses. | While the material is moderately expensive, fabrication is difficult. Much of cost will be in welding labor. |
| Pd stabilized Titanium | Superior resistance to chlorides, even at higher temperatures. Is often used on sea water application where Titanium's resistance may not be acceptable. | Very expensive material and fabrication is again difficult and expensive. |
| Nickel | Very good resistance to high temperature caustic streams. | Moderate to high expense. Difficult to weld. |
| Hastelloy Alloy | Very wide range to choose from. Some have been specifically developed for acid services where other materials have failed. | Fairly expensive alloys. Their use must be justified. Most are easy to weld. |
| Graphite | One of the few materials capable of withstanding weak HCl streams. | Brittle, very expensive, and very difficult to fabricate. Some stream components have been know to diffusion through some types of graphites. |
| Tantalum | Superior resistance to very harsh services where no other material is acceptable. | Extremely expensive, must be absolutely necessary. |
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볼 밸브냐? 게이트 밸브냐? 그것이 문제로다.
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오래된 차단 밸브를 교체할때, 흔히 마딱드리는 문제가 하나 있다. 볼밸브를 이용할 것인가? 아니면 게이트 밸브를 이용할 것인가 하는 문제이다.
물이나 유체는 원래 배관 시스템을 다양한 방면으로 망가뜨리게 되지만, 적절한 밸브를 선택하므로서 더욱 "천천히" 망가뜨리게는 할 수 있다. 어차피 시간이 흐르면 결국은 망가지는 것이므로, 망가지는 것을 "방지"할 수는 없고 "지연" 시키는 것이다.
볼 밸브를 사용하는것이 게이트 밸브를 사용하는 것에 비해 더욱 오랫동안 이용할 수 있고, 자잘한 문제를 덜 일으키는 등 성능이 월등히 우월하다.
볼 밸브는 유체 흐름을 조절하기 위해 구멍이 난 유체를 이용하는데, 핸들이 밸브랑 평행하면 구멍이 열려 유체가 흐르고, 밸브를 1/4 정도 돌리면 구멍이 밸브와 직각을 이루면서 구멍이 닫혀 유체가 멈추게 된다. 볼 밸브는 몇년간 사용하지 않았어도 사용할 수 있어서 소위 굳어서 움직이지 않는 경우가 별로 없다.
게이트 밸브는 내부 축을 따라 게이트 즉 문이 열리고 닫히는 구조로 되어 있다. 축은 핸들에 나사형으로 연결되어 게이트를 올리고 닫으므로서 흐름을 조절한다. 게이트 밸브는 몇 가지 단점이 있는데, 그 중 가장 큰 문제는 시간이 흐름에 다라 게이트를 조절하는 축이 고장난다는 점이다. 이것은 게이트가 특정위치에 걸려 열거나 닫히지 않게 된다는 뜻이다. 또하나 문제점은 오랫동안 잠근 체 사용하지 않으면, 열리지 않는다는 점이다. 만약 열었다 하더라도 보통은 새기 시작한다. 하지만 명심해야 할 점은 아직도 계량계 앞뒤 라던가 하는 특정 부분에서는 게이트 밸브가 필요하다. 왜냐하면, 볼밸브는 1/4만 돌려도 쉽게 잠기게 되고, 이렇게 빨리 잠기게 되면 집안에서 돌고 있는 물이 워터 해머(갑작스럽게 유체의 한부분이 멈추거나 부딪혀서 나는 현상)현상이 일어나 어딘가의 문제를 일으킬 수 있기 때문이다. 물론 이런일은 그렇게 잘 발생하는 일은 아니며, 아마도 크게 고려할 사항은 아니다.
위 이야기는 일반적인 볼/게이트 밸브 이야기 이며, 가정용 위주로 기술하였으나, 대형 플랜트 시장에서도 그 특성은 크게 다르지 않아 기술해 본다.
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